چاپ

راه ترقی - تحلیلگران معتقد هستند در سال 2023 بیش از 50 درصد از حافظه‌های رمی که در بازار فروخته می‌شودU از نوع DDR5 باشند.

مدتی است حافظه‌های رم از نوع DDR5 معرفی شده‌اند و حتی انتظار می‌رود در سال 2022 مدل‌های مختلف در محدوده‌های قیمت متفاوت از این مدل از حافظه‌ها راهی بازار شود. بااین حال، جایگزینی حافظه‌های DDR5 با مدل‌های DDR4 به زمان بیشتری نیاز دارد و طبق گفته تحلیلگران، حداقل تا سال 2023 چنین اتفاقی رخ نمی‌دهد. Tom"sHardware در خبر اخیرش گزارش سازمان Yolle Developpement را بررسی کرده است که چشم‌اندازی از فروش حافظه‌های مختلف در بازار را به علاقه‌مندان ارائه می‌دهند. طبق اطلاعات Yolle Developpement، فروش حافظه‌های DDR5 در سال 2021 به‌کندی پیش خواهد رفت؛ به‌گونه‌ای که کمتر از 10 درصد از بازار را حافظه‌های DDR5 تشکیل می‌دهند. باوجوداین در سال 2022، فروش چنین حافظه‌هایی با سرعت بیشتری مواجه می‌شود و Yolle Developpement انتظار دارد تقریبا 25 درصد از حافظه‌های فروخته‌شده در سال 2022 را حافظه‌های DDR5 و کمی بیش از 70 درصد از حافظه‌های فروخته‌شده را مدل‌های DDR4 تشکیل دهند. Yolle Developpement درباره سال 2023 نیز تخمین می‌زند که اولین بار بیش از 50 درصد از حافظه‌های فروخته‌شده را حافظه‌های DDR5 تشکیل دهند. روند افزایش فروش حافظه‌های DDR5 تا سال 2026 به‌گونه‌ای پیش خواهد رفت که در سال 2026 بیش از 90 درصد از حافظه‌های فروخته‌شده در بازار را مدل‌های DDR5 تشکیل می‌دهد و کمتر از 10 درصد از بازار به مدل‌های نسل پیشین اختصاص می‌یابد.

راه ترقی

سامسونگ، اس کی هاینیکس و مایکرون به تبانی در قیمت‌گذاری DRAM متهم شدند نتاک فرایند تحقیق و توسعه حافظه 10 گیگاهرتزی DDR5 را آغاز کرد
تحلیلگران تخمین می‌زنند رشد تقاضا برای حافظه‌ها بازار بسیار پررونقی برای شرکت‌های سازنده به‌وجود آورده است؛ به‌صورتی‌که ارزش بازار حافظه‌های DRAM (حافظه تصادفی پویا یا معادل Dynamic Random Access Memory) به 120 میلیارد دلار و ارزش بازار حافظه‌های NAND به 68 میلیارد دلار برسد؛ ارقامی که هریک از میزان بزرگی بازارهای ذکرشده خبر می‌دهند. با رشد چشمگیر بازار حافظه‌ها، تحلیلگران معتقد هستند در سال 2026 با بازاری مواجه می‌شویم که ارزشش از مرز 200 میلیارد دلار نیز بگذرد. ازنظر فنی، باید گفت حافظه‌های DDR5 درمقایسه‌با نسل پیشین با پیشرفت‌های درخورتوجهی همراه شده‌اند. برای مثال، به دو‌برابر‌شدن پهنای باند و چهار‌برابر‌شدن تراکم مدار مجتمع یا Die می‌توان اشاره کرد. چنین ترکیبی باعث می‌شود شرکت‌های سازنده بتوانند استیک‌های رم (DIMM) با ظرفیت به‌مراتب بیشتر و ولتاژ عملیاتی کمتری تولید کنند.